AHSEC দ্বাদশ শ্ৰেণীৰ পদাৰ্থ বিজ্ঞানৰ অন্তিম অধ্যায় অৰ্ধপৰিবাহী ইলেকট্ৰনিক্স : পদাৰ্থ, সঁজুলি আৰু সৰল বৰ্তনী (Semiconductor Electronics)-ৰ পৰা HS Final Exam-ৰ বাবে আটাইতকৈ গুৰুত্বপূৰ্ণ 30 টা বহুবিকল্পী প্ৰশ্ন (MCQ) আৰু ইয়াৰ শুদ্ধ উত্তৰসমূহ তলত আগবঢ়োৱা হ’ল:

---

অধ্যায় ১৪: অৰ্ধপৰিবাহী ইলেক্ট্ৰনিক্স (৩০টা গুৰুত্বপূৰ্ণ MCQ)

১/ পৰম শূন্য উষ্ণতাত ($0 K$) এটা বিশুদ্ধ অৰ্ধপৰিবাহীয়ে কেনেকুৱা আচৰণ কৰে?
(a) সু-পৰিবাহীৰ দৰে
(b) অপৰিবাহী বা অপৰিৱৰ্তকৰ দৰে
(c) অতিপৰিবাহীলৈ সলনি হয়
(d) এটাও নহয়
উত্তৰ: (b) অপৰিবাহী বা অপৰিৱৰ্তকৰ দৰে (Insulator)

২/ পদাৰ্থৰ শক্তিবন্ধ বা শক্তিপটি তত্ত্ব (Energy Band Theory) অনুসৰি যোজ্যতা পটি (Valence band) আৰু পৰিবহন পটি (Conduction band) ৰ মাজৰ খালী ঠাইখিনিক কি বোলে?
(a) যোজ্যতা শক্তি
(b) নিষিদ্ধ শক্তি
(c) ফাৰ্মী স্তৰ
(d) বিভৱ প্ৰাচীৰ
উত্তৰ: (b) নিষিদ্ধ শক্তি ব্যৱধান বা ফৰ্বিডেন এনাৰ্জী গেপ (Forbidden Energy Gap / Band gap, $E_g$)

৩/ এটা অপৰিবাহী পদাৰ্থৰ (Insulator) বাবে শক্তি ব্যৱধান ($E_g$) ৰ মান কেনেকুৱা হয়?
(a) $E_g = 0$
(b) $E_g < 3 \text{ eV}$
(c) $E_g > 3 \text{ eV}$
(d) $E_g = 1 \text{ eV}$
উত্তৰ: (c) $E_g > 3 \text{ eV}$ (যেনে– হীৰাৰ বাবে ই প্ৰায় 5.4 eV) (অতিকৈ বেছি)

৪/ চিলিকন (Si) অৰ্ধপৰিবাহীৰ বাবে নিষিদ্ধ শক্তি ব্যৱধান ($E_g$) ৰ মান কিমান?
(a) 0.7 eV
(b) 1.1 eV
(c) 5.4 eV
(d) 0 eV
উত্তৰ: (b) 1.1 eV(টোকা: জাৰ্মেনিয়াম বা Ge ৰ বাবে ই 0.7 eV হয়)

৫/ এটা অন্তৰ্জাত বা বিশুদ্ধ অৰ্ধপৰিবাহীত (Intrinsic Semiconductor) ইলেক্ট্ৰন ঘনত্ব ($n_e$) আৰু হোল ঘনত্ব (n_h) ৰ সম্পৰ্কটো হ’ল—
(a) n$_e > n_h$
(b) $n_e < n_h$
(c) $n_e = n_h = n_i$
(d) $n_e \cdot n_h = 0$
উত্তৰ: (c) $n_e = n_h = n_i$

---

৬/ বহিৰ্জাত বা অশুদ্ধ অৰ্ধপৰিবাহী (Extrinsic Semiconductor) তৈয়াৰ কৰিবলৈ বিশুদ্ধ অৰ্ধপৰিবাহীত নিয়ন্ত্ৰিতভাৱে অশুদ্ধি যোগ কৰা প্ৰক্ৰিয়াটোক কি বোলে?
(a) ড’পিং
(b) আয়নন
(c) মেৰুকৰণ
(d) ব্যাপন বা ডিফিউজন
উত্তৰ: (a) ড’পিং (Code: Doping)

৭/ n-টাইপ অৰ্ধপৰিবাহী (n-type semiconductor) তৈয়াৰ কৰিবলৈ চিলিকন বা জাৰ্মেনিয়ামৰ সৈতে তলৰ কোনবিধ পঞ্চযোজী (Pentavalent) মৌল ড’প কৰিব লাগে?
(a) এলুমিনিয়াম (Al)
(b) ফছফৰাছ (P) বা আৰ্চেনিক (As)
(c) বৰণ (B)
(d) ইণ্ডিয়াম (In)
উত্তৰ: (b) ফছফৰাছ (P) বা আৰ্চেনিক (As)

৮/ p-টাইপ অৰ্ধপৰিবাহী (p-type semiconductor) তৈয়াৰ কৰিবলৈ ব্যৱহাৰ কৰা ত্ৰিযোজী (Trivalent) অশুদ্ধি মৌলটো হ’ল—
(a) ফছফৰাছ
(b) এন্টিমণি
(c) এলুমিনিয়াম
(d) আৰ্চেনিক
উত্তৰ: (c) এলুমিনিয়াম (Al) বা বৰণ (B) বা ইণ্ডিয়াম (In)

৯/ n-টাইপ অৰ্ধপৰিবাহীত মুখ্য আধান বাহক (Majority charge carriers) কোনটো?
(a) হোল (Holes)
(b) ইলেক্ট্ৰন (Electrons)
(c) ধনাত্মক আয়ন
(d) নিউট্ৰন
উত্তৰ: (b) ইলেক্ট্ৰন (Electrons)(হোলবোৰ ইয়াত গৌণ বাহক বা Minority carriers হয়)

১০/ p-টাইপ অৰ্ধপৰিবাহীত মুখ্য আধান বাহক (Majority charge carriers) কোনটো?
(a) ইলেক্ট্ৰন
(b) হোল
(c) ঋণাত্মক আয়ন
(d) ফ’টন
উত্তৰ: (b) হোল (Holes) (ইলেক্ট্ৰনবোৰ ইয়াত গৌণ বাহক হয়)

---

১১/ তাপীয় সাম্যাৱস্থাত থকা যিকোনো অৰ্ধপৰিবাহীৰ বাবে “ভৰ ক্ৰিয়া সূত্ৰ” (Mass Action Law) টো হ’ল—
(a) $n_e + n_h = n_i$
(b) $n_e \cdot n_h = n_i^2$
(c) $\frac{n_e}{n_h} = n_i$
(d) $n_e \cdot n_h = n_i$
উত্তৰ: (b) $n_e \cdot n_h = n_i^2$

১২/ এটা p-n সংযোগ ডায়েড (p-n junction diode) গঠন হ’লে সংযোগস্থলত সৃষ্টি হোৱা আধানহীন অঞ্চলটোক কি বোলে?
(a) বিভৱ প্ৰাচীৰ
(b) নিঃশেষিত অঞ্চল
(c) ফৰৱাৰ্ড অঞ্চল
(d) মুক্ত অঞ্চল
উত্তৰ: (b) অৱক্ষয় অঞ্চল বা নিঃশেষিত অঞ্চল Depletion Region / Depletion layer)

১৩/ p-n সংযোগ ডায়েড এটা ফৰৱাৰ্ড বা সম্মুখমুখী বায়নাত (Forward Bias) সংযোগ কৰিলে ইয়াৰ অৱক্ষয় অঞ্চলৰ প্ৰস্থ (Width of depletion layer)—
(a) বৃদ্ধি পায়
(b) হ্ৰাস পায়
(c) অপৰিৱৰ্তিত থাকে
(d) অসীম হৈ পৰে
উত্তৰ: (b) হ্ৰাস পায় (Decreases) (যাৰ বাবে সহজে প্ৰৱাহ চালিত হয়)

১৪/ p-n সংযোগ ডায়েড এটা ৰিভাৰ্ছ বা বিপৰীতমুখী বায়নাত (Reverse Bias) সংযোগ কৰিলে ইয়াৰ অৱক্ষয় অঞ্চলৰ প্ৰস্থ—
(a) হ্ৰাস পায়
(b) বৃদ্ধি পায়
(c) শূন্য হৈ পৰে
(d) প্ৰথমে বাঢ়ে, পিছত কমে
উত্তৰ: (b) বৃদ্ধি পায় (Increases) (যাৰ বাবে ই অতি উচ্চ ৰোধ প্ৰদৰ্শন কৰে)

১৫/ সম্মুখমুখী বায়নাত (Forward Bias) p-n ডায়েডৰ মাজেৰে যোৱা প্ৰৱাহ মূলত কিহৰ বাবে হয়?
(a) গৌণ বাহকৰ অপৱাহ বা ড্ৰীফ্ট (Drift) ৰ বাবে
(b) মুখ্য বাহক ৰ বাবে
(c) কেৱল উষ্ণতাৰ বাবে
(d) ফ’টনৰ বাবে
উত্তৰ: (b) মুখ্য বাহকৰ ব্যাপন বা ডিফিউজন (Diffusion) ৰ বাবে(ই মিলি–এম্পিয়াৰ [mA] ক্ৰমৰ হয়)

---

১৬/ বিপৰীতমুখী বায়নাত (Reverse Bias) ডায়েডৰ মাজেৰে প্ৰৱাহিত হোৱা অতি নূন্যতম প্ৰৱাহ (Reverse saturation current) কিহৰ বাবে হয়?
(a) মুখ্য বাহকৰ বাবে
(b) গৌণ বাহকৰ অপৱাহ
(c) কোনো আধান কণা নাথাকে
(d) কেৱল চিলিকন পৰমাণুৰ বাবে
উত্তৰ: (b) গৌণ বাহকৰ অপৱাহ বা ড্ৰীফ্ট (Drift) ৰ বাবে(ই মাইক্ৰ‘-এম্পিয়াৰ [μA] বা নেন‘-এম্পিয়াৰ ক্ৰমৰ হয়)

১৭/ পৰিৱৰ্তী প্ৰৱাহ (AC) ক একমুখী প্ৰৱাহ (DC) লৈ ৰূপান্তৰ কৰা সঁজুলিটোক কি বোলা হয়?
(a) এম্প্লিফায়াৰ বা পৰিবৰ্ধক
(b) ৰেক্টিফায়াৰ বা একমুখীকাৰক
(c) অচিলেটৰ
(d) ট্ৰান্সফৰ্মাৰ
উত্তৰ: (b) ৰেক্টিফায়াৰ বা একমুখীকাৰক (Rectifier)

১৮/ এটা অৰ্ধতৰংগ একমুখীকাৰকৰ (Half-wave Rectifier) ইনপুট কম্পনাংক 50 Hz হ’লে ইয়াৰ আউটপুট কম্পনাংক কিমান হ’ব?
(a) 25 Hz
(b) 50 Hz
(c) 100 Hz
(d) 0 Hz
উত্তৰ: (b) 50 Hz (অৰ্ধতৰংগত ইনপুট আৰু আউটপুট কম্পনাংক একে থাকে)

১৯/ এটা পূৰ্ণতৰংগ একমুখীকাৰকৰ (Full-wave Rectifier) ইনপুট কম্পনাংক 50 Hz হ’লে ইয়াৰ আউটপুট কম্পনাংক কিমান হ’ব?
(a) 50 Hz
(b) 100 Hz
(c) 25 Hz
(d) 200 Hz
উত্তৰ: (b) 100 Hz(পূৰ্ণতৰংগত আউটপুট কম্পনাংক দুগুণ হয়, $f_{out} = 2 f_{in}$

২০/ এটা পূৰ্ণতৰংগ একমুখীকাৰক (Full-wave Rectifier) বৰ্তনীত নূন্যতম কিমানটা p-n সংযোগ ডায়েডৰ প্ৰয়োজন হয়?
(a) ১ টা
(b) ২ টা
(c) ৪ টা
(d) ৩ টা
উত্তৰ: (b) ২ টা (টোকা: কেন্দ্ৰ-স্পৰ্শী বা Center-tapped ট্ৰান্সফৰ্মাৰ ব্যৱহাৰ কৰিলে ২টা ডায়েড লাগে )

---

২১/ তলৰ কোনটো আলোক-ইলেক্ট্ৰনিক সঁজুলি (Optoelectronic device) কেৱল বিপৰীতমুখী বায়নাত (Reverse Bias) কাম কৰে?
(a) পোহৰ নিৰ্গমনকাৰী ডায়েড (LED)
(b) সৌৰ কোষ (Solar Cell)
(c) ফট’ডায়েড (Photodiode)
(d) সাধাৰণ জেনাৰ ডায়েড
উত্তৰ: (c) ফট’ডায়েড (Photodiode) (টোকা: ই পোহৰ ধৰা পেলাবলৈ বা বা অপটিকেল চিগনেল গ্ৰহণ কৰিবলৈ ব্যৱহাৰ কৰা হয়)

২২/ পোহৰ নিৰ্গমনকাৰী ডায়েড বা এল.ই.ডি (LED) এখন কেনেকৈ সংযোগ কৰা হয়?
(a) বিপৰীতমুখী বায়নাত (Reverse bias)
(b) সম্মুখমুখী বায়নাত (Forward Bias)
(c) বায়নাহীন অৱস্থাত
(d) উচ্চ এচি বিভৱত
উত্তৰ: (b) সম্মুখমুখী বায়নাত (Forward Bias) (যাতে ইলেক্ট্ৰন আৰু হোলৰ পুনৰমিলন ঘটি ফ’টন নিৰ্গত হয়)

২৩/ তলৰ কোনটো সঁজুলি চলোৱাৰ বাবে কোনো বাহ্যিক বেটাৰী বা বায়নৰ (No external bias) প্ৰয়োজন নহয়?
(a) ফট’ডায়েড
(b) সৌৰ কোষ (Solar Cell)
(c) এল.ই.ডি (LED)
(d) এটাও নহয়
উত্তৰ: (b) সৌৰ কোষ (Solar Cell) (কাৰণ ই নিজেহে পোহৰ শক্তিৰ পৰা বিদ্যুৎ শক্তি উৎপন্ন কৰে)

২৪/ বগা বা দৃশ্যমান পোহৰ পাবলৈ এল.ই.ডি (LED) তৈয়াৰ কৰোঁতে তলৰ কোনটো মিশ্ৰ অৰ্ধপৰিবাহী ব্যৱহাৰ কৰা হয়?
(a) চিলিকন (Si)
(b) জাৰ্মেনিয়াম (Ge)
(c) গেলিয়াম আৰ্চেনাইড ফছফাইড
(d) কাৰ্বন (C)
উত্তৰ: (c) গেলিয়াম আৰ্চেনাইড ফছফাইড(বিশুদ্ধ চিলিকন বা জাৰ্মেনিয়ামে দৃশ্যমান পোহৰ দিব নোৱাৰে, কাৰণ ইহঁতৰ শক্তি ব্যৱধান কম আৰু শক্তি তাপ হিচাপে ওলাই যায়) (Gallium Arsenide Phosphide $– GaAs_{1-x}P_x$)

২৫/ উষ্ণতা বৃদ্ধি কৰিলে অৰ্ধপৰিবাহী পদাৰ্থৰ বৈদ্যুতিক পৰিবাহিতা (Electrical Conductivity)—
(a) হ্ৰাস পায়
(b) বৃদ্ধি পায়
(c) অপৰিৱৰ্তিত থাকে
(d) শূন্য হৈ পৰে
উত্তৰ: (b) বৃদ্ধি পায় (Increases) (কাৰণ উষ্ণতা বাঢ়িলে সহযোজী বান্ধোন ভাঙি অধিক মুক্ত ইলেক্ট্ৰন আৰু হোল সৃষ্টি হয়)

---

২৬/ চিলিকন বা জাৰ্মেনিয়াম পৰমাণুৰ যোজ্যতা ইলেক্ট্ৰনৰ (Valence electrons) সংখ্যা কিমান?
(a) ৩ টা
(b) ৪ টা
(c) ৫ টা
(d) ২ টা
উত্তৰ: (b) ৪ টা (Tetravalent)

২৭/ এটা p-n ডায়েডৰ বিভৱ প্ৰাচীৰ বা প্ৰাচীৰ বিভৱ (Barrier Potential) মূলত কিহৰ ওপৰত নিৰ্ভৰ কৰে?
(a) অৰ্ধপৰিবাহী পদাৰ্থৰ প্ৰকৃতি (Si বা Ge)
(b) ড’পিং বা অশুদ্ধিৰ পৰিমাণ
(c) উষ্ণতা
(d) ওপৰৰ আটাইকেইটা
উত্তৰ: (d) ওপৰৰ আটাইকেইটা

২৮/ তলৰ কোনটো মন্তব্য এন-টাইপ (n-type) চিলিকনৰ বাবে শুদ্ধ?
(a) ইলেক্ট্ৰনবোৰ গৌণ বাহক আৰু ত্ৰিযোজী পৰমাণুবোৰ ড’পেণ্ট।
(b) হোলবোৰ মুখ্য বাহক আৰু পঞ্চযোজী পৰমাণুবোৰ ড’পেণ্ট।
(c) ইলেক্ট্ৰনবোৰ মুখ্য বাহক আৰু পঞ্চযোজী পৰমাণুবোৰ ড’পেণ্ট।
(d) হোলবোৰ গৌণ বাহক আৰু ত্ৰিযোজী পৰমাণুবোৰ ড’পেণ্ট।
উত্তৰ: (c) ইলেক্ট্ৰনবোৰ মুখ্য বাহক আৰু পঞ্চযোজী পৰমাণুবোৰ ড’পেণ্ট।

২৯/ চিলিকন p-n সংযোগ ডায়েড এটাৰ বাবে স্বাভাৱিক প্ৰাচীৰ বিভৱ (Barrier potential) ৰ মান প্ৰায় কিমান?
(a) 0.3 V
(b) 0.7 V
(c) 1.1 V
(d) 0 V
উত্তৰ: (b) 0.7 V(জাৰ্মেনিয়ামৰ বাবে ই প্ৰায় 0.3 V হয়)

৩০/ তলৰ কোনটো পদাৰ্থৰ বাবে উষ্ণতাৰ ৰোধ গুণাংক (Temperature coefficient of resistance, α) ঋণাত্মক হয়?
(a) তাম
(b) এলুমিনিয়াম
(c) চিলিকন বা অৰ্ধপৰিবাহী
(d) ৰূপ
উত্তৰ: (c) চিলিকন বা অৰ্ধপৰিবাহী(ঋণাত্মক হোৱাৰ অৰ্থ হৈছে উষ্ণতা বাঢ়িলে ইহঁতৰ ৰোধ হ্ৰাস পায়) (Silicon / Semiconductors)

(টোকা: বৰ্তমানৰ বাৰ্ষিক সংশোধিত চিলেবাছ অনুসৰি পুৰণি পাঠ্যপুথিৰ জেনাৰ ডায়েড [Zener Diode] আৰু লজিক গেট [Logic Gates] ৰ অংশসমূহ বৰ্জন কৰা হৈছে, সেয়েহে কেৱল মূল অৰ্ধপৰিবাহী আৰু ডায়েডৰ প্ৰয়োগসমূহৰ পৰাহে MCQ যুগুত কৰা হৈছে।)

---

💡 পৰীক্ষাৰ টিপছ (Exam Tips):

• প্ৰমাণ আৰু চিত্ৰ: এই অধ্যায়ৰ পৰা পূৰ্ণতৰংগ একমুখীকাৰক (Full-wave rectifier) ৰ বৰ্তনীত ৰেখাচিত্ৰ আৰু ইয়াৰ ইনপুট-আউটপুট তৰংগৰ ৰূপ পৰীক্ষাত প্ৰায়েই সোধা হয়।
• পাৰ্থক্য: p-টাইপ আৰু n-টাইপ অৰ্ধপৰিবাহী তথা অন্তৰ্জাত আৰু বহিৰ্জাত অৰ্ধপৰিবাহীৰ মাজৰ মূল পাৰ্থক্যবোৰ মনত ৰাখিব।